發布:2026-03-03 15:16:13 關注:7382次
北京大學深圳研究生院(以下簡稱:北大深研院)成立于2001年,由北京大學和深圳市人民政府共同創辦。作為北京大學唯一異地校區,北大深研院融合北大“思想自由、兼容并包”學術精神與深圳“敢闖敢試”的進取精神,承載先行軍與試驗田使命,與中國乃至世界的知識增進與研究創新相融合,是北京大學邁向世界一流大學前列的重要戰略組成。
北大深研院始終堅守“前沿領域、交叉學科、應用學術、國際標準”的辦學方針,旨在建成培養國際化、復合型、創新型人才新高地。在“雙區”戰略的新時代背景下,北大深研院將扎根灣區,打造“新工科”建設新引擎,助力國家解決關鍵核心技術“卡脖子”攻艱難題,探索前沿領域與區域產業聯動發展新范式。
一、基本信息
1.招聘單位:電子信息研究團隊
2.招聘崗位:氮化鎵器件工藝工程師/科研助理
3.崗位類別:技術人員
4.招聘人數:1人
5.招聘范圍:校內外招聘
二、崗位職責
主要負責氮化鎵(GaN)電子器件的流片工藝及測試工作:
1.工藝制備:負責微納加工超凈間內的關鍵工藝操作(包括但不限于:光刻、ICP/RIE刻蝕、電子束蒸發/磁控濺射鍍膜、快速熱退火、濕法清洗等);
2.工藝維護:負責器件制備流程的優化,解決流片過程中出現的技術問題,提高器件良率;
3.測試表征:負責半導體器件的電學性能測試(IV、CV、擊穿電壓等)及結構表征(SEM、臺階儀、顯微鏡等);
4.數據管理:負責實驗數據的記錄、整理與歸納,定期匯報實驗進度;
5.設備協作:完成團隊交辦的其他科研輔助工作。
三、應聘條件
1.具有全日制本科及以上學歷,微電子、半導體物理、光電信息、材料科學等相關專業;
2.有超凈間(Cleanroom)工作經驗者優先;
3.熟悉半導體微納加工工藝(黃光、刻蝕、鍍膜等)者優先;
4.有氮化鎵(GaN)HEMT或其他功率/射頻器件制備經驗者極佳;
5.動手能力強,工作細致耐心(工藝細節決定成敗),具有良好的團隊合作精神和溝通能力
四、工作地點:東莞松山湖高新技術產業開發區
五、招聘程序
1.請應聘者將個人簡歷(包括個人概況、學習工作履歷)以及能夠證明個人能力的相關應聘材料發送至pkucom@outlook.com郵箱。郵件主題為:應聘xx崗位+畢業院校+專業+姓名+計劃到崗時間+高校人才網。【快捷投遞:點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”,即刻進行職位報名】
2.招聘截至招到合適人選為止。
3.材料初審通過后,將通知安排面試。未通過初選者恕不另行通知。
4.應聘材料恕不退還,期間不接待來電來訪。
我們期待您的加入,共同開啟新的征程!
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