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崗位職責：
1.代工廠協同與工藝對接： 作為公司技術窗口，與代工廠（Fab）的PIE、TD團隊進行日常技術溝通，主導新產品導入（NPI）的工藝實現。
2.良率提升與問題攻關： 主導功率MOSFET產品的良率提升項目，通過數據分析和實驗設計，定位并解決制造過程中的良率瓶頸和異常問題。
3.實驗設計與工藝優化： 獨立或協同制定DOE，用于工藝窗口優化、可靠性問題根因分析及新產品/新工藝的可行性驗證。
4.測試數據分析與優化： 深度分析CP（晶圓測試）和FT（最終測試）數據，建立電性參數與工藝條件的關聯，優化測試條件，提升測試覆蓋率和效率。
5.產品文檔撰寫： 負責撰寫和維護產品規格書、制程指南、良率分析報告等技術文檔。
任職資格：
1.學歷專業： 微電子學、半導體物理、電子科學與技術、應用物理學等相關專業，本科及以上學歷。
2.工作經驗： 半導體行業經驗，必須具備在集成電路代工廠（Foundry）的PIE（工藝整合工程師）或TD（器件研發）崗位工作經驗。
3.核心技術：
4.工藝知識： 熟悉功率器件核心制造工藝（如光刻、刻蝕、薄膜、擴散/離子注入等）。
5.器件基礎： 深入理解MOSFET器件物理、特性參數（如Vth, Rds(on), BVdss, Gm等）及其與工藝的關聯。
6.數據分析： 熟練使用數據分析工具（如SQL, JMP, Excel, Python等）進行CP/FT數據分析，并具備基本的統計知識。
7.實驗設計： 具備獨立設計并分析DOE的能力，以解決實際問題。

加分項:
有功率器件（SGT/SJ） 相關產品或工藝開發經驗者優先；
具備良率提升項目成功經驗，并能量化其貢獻者優先；
做過汽車電子產品的優先。